屹唐起诉应用材料！前员工跳槽引发“泄密门”

电子发烧友网报道（文/莫婷婷）近日，泄密门屹唐股份指控应用材料侵权，屹唐应用一场由前员工跳槽引发的起诉前商业秘密之争成为业界关注的焦点。加之此前台积电2纳米核心技术泄密等事件、材料槽引华为起诉尊湃等侵权案件频现，工跳再次凸显了高端芯片技术竞争背后的泄密门知识产权安全挑战。


屹唐股份指控应用材料“挖人窃密”，屹唐应用索赔近亿元
北京屹唐半导体科技股份有限公司（以下简称“屹唐股份”）认为应用材料公司（APPLIED MATERIALS,起诉前 INC.）（以下简称“应用材料”）非法获取并使用了公司的等离子体源及晶圆表面处理相关的核心技术秘密，并在中国境内以申请专利的材料槽引方式披露了该技术秘密，且将该专利申请权据为己有，工跳因此提起诉讼，泄密门诉讼金额为人民币9999万元。屹唐应用

屹唐股份认为，起诉前此次侵权主要原因是材料槽引应用材料公司通过“挖角”其掌握核心技术的两名前员工，并利用其知识在中国申请专利，工跳从而非法获取、使用和披露了其核心等离子体处理技术秘密，构成了严重的商业秘密侵权。

此次涉及的核心技术为屹唐股份掌握的利用高浓度、稳定均匀的等离子体进行晶圆表面处理技术，该技术广泛应用于干法去胶、蚀刻及表面处理等半导体加工设备。屹唐股份在该领域具备领先的原创性技术能力，并拥有相关技术秘密。

应用材料公司雇佣了曾任职于屹唐全资子公司MTI公司的两名涉事员工。此二人知悉并掌握关于等离子体的产生和处理方法的核心技术，熟悉和掌握相关设备结构以及技术工艺细节，且在职期间签署过严格保密协议。

两名涉事前员工入职应用材料公司后，以其为主要发明人向中国国家知识产权局提交发明专利申请。该专利申请内容被屹唐股份指认披露了其与MTI共同拥有的、受保密协议保护的技术秘密。

屹唐股份认为，应用材料公司通过招聘掌握其核心机密的前员工，并利用其知识申请专利，构成了非法获取、使用并以公开方式披露原告商业秘密的行为。此举违反了《中华人民共和国反不正当竞争法》，属于典型的侵犯商业秘密。该行为不仅严重损害了屹唐股份的知识产权和经济利益，应用材料公司还被查出利用该技术秘密开发产品并在中国境内推广销售，进一步扩大侵权损害。

美国知名半导体设备企业MTI成立于1988年，公司业务聚焦前道芯片制造工序，包括干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备等。2016年，屹唐股份完成对MTI的私有化收购，至此上述技术成为屹唐股份的核心技术之一。

美国应用材料公司是业内先进的半导体和显示设备供应商，主要提供沉积、刻蚀、光刻等半导体设备、显示器设备、太阳能光伏设备等产品。该公司已经拥有超2.2万项专利，是第一家进入中国的国际半导体设备公司。数据显示，2023年，应用材料公司在半导体设备市场的份额排名第二，销售额达到204亿元，行业竞争对手包括ASML、Lam Research等。

正是由于上述公司在行业的领先地位及近亿元的赔偿金额，此次侵权事件备受关注。它反映了当前全球高科技产业面临的共同挑战：在推动技术创新的同时，如何有效保护这些创新成果免受非法侵害。


内部技术泄密风暴频现，厂商争抢新兴市场的入场券
屹唐股份主要提供干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备在内的集成电路制造设备及配套工艺解决方案。截至2024年12月31 日，公司产品全球累计装机数量已超过4800台。


图：集成电路制造前道工艺流程及主要设备（红色部分为屹唐股份三类专用设备所应用的主要工艺环节与流程）

屹唐股份在干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备三大领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新和改进。

屹唐股份此前公开的招股书显示，在干法刻蚀设备方面，公司掌握了双晶圆真空反应腔设计、各双晶圆反应腔配备独立真空传送模块设备平台设计等自主研发的技术，多项技术具有国际先进水平，其中双晶圆真空反应腔设计工艺性能可以和单晶圆反应腔设计比肩，并具有产能高，成本低，占地小的优势。



截至2025年2月11日，公司拥有发明专利445项、实用新型专利1项，科研成果在全球主要半导体生产地区申请专利保护。

屹唐股份指出，为加强对技术资料保密工作的统一管理，防止技术泄密，公司建立了知识产 权管理制度，对专利申请流程进行了规范，保证公司的技术研发成果可以及时、高效地申请知识产权保护。

尽管屹唐股份已经建立的完善的知识产权管理制度，但是无法完全杜绝因人员流动引发的技术泄密风险——正如前文提到的跳槽至竞争对手的两名前员工。

在半导体这个技术密集型产业中，人才流动与技术创新相伴相生，但也催生了商业秘密泄露的灰色地带。当前，半导体及高科技领域的商业秘密侵权事件频发，核心技术竞争的白热化。

就在此前，华为指控南京尊湃通讯科技有限公司及其部分高管（多为华为前员工）非法获取、使用华为在Wi-Fi6芯片研发领域的技术秘密。最终，法院判以首犯张琨被判处有期徒刑六年，并处罚金三百万元人民币，同时被禁止在五年内从事芯片相关行业，其余13名被告也分别获刑。

台积电2纳米制程技术泄密事件在半导体行业里也备受关注，该技术遭内部员工与台积电前工程师勾结泄露，涉事人员通过手机拍摄、网络传输等方式窃取机密资料。资料显示，部分资料疑似经东京电子公司员工泄露到日本Rapidus公司。案件已进入司法程序，涉事违规人员已被开除。


不管是等离子体进行晶圆表面处理技术，还是华为的Wi-Fi 6技术、台积电2纳米制程技术，这些核心技术均是备受关注的新一代技术。伴随着第三代半导体、功率器件、AI芯片等关键元器件的持续迭代升级，芯片生产所涉及的各项核心技术也需同步实现更新换代。

以屹唐股份为例，其正全力研发高产能干法去胶设备，相关研究涵盖去胶及先进光刻薄膜去除工艺、产能提升等研究内容，可应用于先进3D闪存集成电路制造，其他先进逻辑/存储集成电路制造。

市场研究机构qyresearch的数据显示，2022年全球3D NAND闪存市场销售额高达1274亿元，预计到了2029年将增长至4797亿元。这一市场呈现出持续增长的强劲态势，应用材料和屹唐股份都想在这片市场占据一席之地，因此技术的持续迭代无疑成为企业竞争的核心优势。

再看当前半导体行业前沿的 2 纳米芯片制造工艺。7月18日，Rapidus宣布旗下工厂已经开始2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管的测试晶圆原型制作。然而，此前台积电发生的 2 纳米制程技术泄密事件，使得业界对 Rapidus 何时能够真正推出该项技术给予了高度关注。


小结：
当前半导体行业核心技术竞争已趋白热化，技术泄密与专利争夺频发。人才流动引发的技术泄露风险，凸显企业在技术创新与知识产权保护间的平衡难题。随着3D NAND、2纳米制程等前沿技术迭代空前加快，技术壁垒与市场争夺同步升级，行业需强化保密机制与法律维权，方能在激烈竞争中守住核心竞争力。

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